Южнокорейский промышленный гигант, являющийся мировым лидером в сегменте производства оперативной памяти, внедряет новый технологический процесс по созданию микросхем для ОЗУ нового поколения – DDR 4.
Напомним, что оперативная память типа DDR 3 (модули емкостью 2 ГБ на базе 50-нм технологии) была выпущена Samsung Electronics еще в 2008 году, а в начале текущего года были запущены в массовое производство 16-гигабайтные модули. Месяц назад Samsung также анонсировала новые флеш-накопители, выполненные по технологии размещения ячеек памяти в объемных структурах.
Смотрите также:
- Революционные технологии: сверхкомпактная флеш-память от Crossbar.
- Жесткие диски на «скирмионах» – в 20 раз объемнее стандартных.
- Флешку Kingston DataTraveler HyperX Predator емкостью в 1 Тб показали на CES 2013.
- MacBook Air 2013. Тесты PCIe памяти и процессора Haswell.
- Первый 8-ядерный процессор для смартфонов от Media Tech.