Samsung приступает к производству оперативной памяти DDR 4

Новости

Южнокорейский промышленный гигант, являющийся мировым лидером в сегменте производства оперативной памяти, внедряет новый технологический процесс по созданию микросхем для ОЗУ нового поколения — DDR 4.

Samsung приступает к производству оперативной памяти DDR 4На данный момент наиболее распространенным типом ОЗУ являются модули емкостью 4 или 8 ГБ, которые производятся на базе 30-нм технологического процессора. Новые микросхемы DDR 4 позволят южнокорейским разработчикам выпускать модули на базе 20-нм, емкостью 16-32 ГБ. Основной областью применения данной технологии должна стать серверная индустрия, а именно дата-центры, в которых, на ряду с объемом, имеют решающее значение пропускная способность и энергоэффективность ОЗУ. Так, новый тип памяти потребляет на 30% меньше электроэнергии, в сравнении с предыдущим поколением памяти. Скорость передачи данных также значительно превосходит DDR 3 и составляет 2667 Мб/сек.
Samsung приступает к производству оперативной памяти DDR 4Напомним, что оперативная память типа DDR 3 (модули емкостью 2 ГБ на базе 50-нм технологии) была выпущена Samsung Electronics еще в 2008 году, а в начале текущего года были запущены в массовое производство 16-гигабайтные модули. Месяц назад Samsung также анонсировала новые флеш-накопители, выполненные по технологии размещения ячеек памяти в объемных структурах.

Смотрите также: