Пользователь сервиса Weibo под псевдонимом GeekBar опубликовал схематические документы Apple, из которых следует, что iPhone 6 будет оснащен 128 ГБ встроенной флэш-памяти стандарта NAND.
Еще одной интересной особенностью представленных рисунков является информация о производителе компонентов. Так, совместным разработчиком упомянутой NAND-памяти являются компании Toshiba, Hynix и SanDisk. В настоящий момент их продукция используется в других моделях iPhone со встроенной памятью объемом в 16 ГБ и 64 ГБ.
Отметим, что согласно более ранним слухам, Apple намерена реализовать ряд принципиальных новшеств в iPhone 6 с дисплеем в 5,5 дюймов. Одним из них вполне может оказаться значительно расширенный объем встроенной памяти.
Смотрите также:
- Фото корпуса 5,5-дюймового iPhone 6 появилось в Сети.
- Неизменные 1 Гб? Apple не будет наращивать ОЗУ iPhone 6.
- iPhone 6 может получить усовершенствованный модуль LTE.
- iPhone 6 будет оснащен дисплеем с разрешением 1472 x 828 пикселей.
- Схема соединений чипа может свидетельствовать о наличии NFC в iPhone 6.
- СМИ: Объектив камеры iPhone 6 будет выступать над корпусом на 0,67 — 0,77 мм.